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VPE氣相外延爐(vapour phase epitaxy)
設備概述
氣相外延是一種單晶薄層生長方法。氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式性質：在氣相狀態下，將半導體材料淀積在單晶片上，使它沿著單晶片的結晶軸方向生長出一層厚度和電阻率合乎要求的單晶層，這一工藝稱為氣相外延。
其特點有
（1）外延生長溫度高，生長時間長，因而可以制造較厚的外延層；
（2）在外延過程中可以任意改變雜質的濃度和導電類型。工業生產常用的氣相外延工藝有：四氯化硅（鍺）外延，硅（鍺）烷外延、三氯氫硅及二氯二氫硅等（二氯二氫硅具有淀積溫度低，沉積速度快，淀積成膜均勻等優點）外延等。。已廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應晶體管等微波器件中。
技術參數
● 結構形式：立式或臥式
● 工作溫度：300℃～1000℃
● 恒溫區精度：±1℃
● 氣體流量精度：±2%FS或±5%FS
● 升溫速率：0～15℃/min
● 轉速：0～20轉/分
● 適合2～4〃工藝
● 漏氣率：≤1×10﹊9mbar/s
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